サムスンDRAM市場での売り上げシェア首位奪還　DRAM市場の市況はどうか？サムスンが首位を奪還できた理由は？

この記事で分かること

サムスンDRAM市場での売り上げシェア首位奪還

　DRAM2025年第1四半期に、サムスンは1992年以来33年間守り続けてきた売上シェア1位の座を一時的にSK hynixに明け渡していましたが、2025年後半（第3・第4四半期）にかけて再びトップに返り咲きました。

　https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2601/13/news104.html

　王座を奪還したサムスンですが、SK hynixも手を緩めておらず、今後も激しい争いが続くものと思われます。

DRAM市場全体の市況はどうか

　DRAM市場全体の市況は、現在「AIバブルを超えた供給不足」と「極端な価格高騰」の局面にあります。単なる回復期ではなく、AI需要が既存の市場構造を塗り替えている極めて特異な状況です。

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1. 市場全体のトレンド：供給不足と価格高騰

　現在、DRAM市場は歴史的な「売り手市場」に突入しています。

• 価格の急騰： 2025年第4四半期から価格上昇が加速し、平均価格は前年同期比で50%〜55%上昇しました。一部のチップでは、サムスンが12月に最大60%の値上げを断行した例もあります。
• 在庫の枯渇： 主要メーカー（サムスン、SK hynix）の2026年分までの生産枠は、すでにAI関連の注文でほぼ完売しています。
• HBMへのリソース集中： 各社が利益率の高いAI向け「HBM（広帯域幅メモリ）」の生産を最優先しているため、パソコン（PC）やスマートフォン向けの汎用DRAMの生産ラインが削られ、供給が追いついていません。

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2. 消費者・他業界への波及（パニック買いの発生）

　AIサーバー向けの需要が、一般消費者の手元に届くデバイスの価格にも直撃しています。

• スマホ・PCの値上がり： メモリの仕入れ価格上昇に伴い、2026年中にスマホやPCの製品価格が最大20%程度上昇すると予測されています。
• 調達の困難： 自動車メーカーや家電メーカーなどの「非AI部門」でもDRAMが確保できず、一部では「いくら払ってでも確保したい」というパニック買いに近い状況が見られます。

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3. 主要メーカーの戦略的転換

　この激変を受け、各社はビジネスモデルを大胆に変えています。

メーカー	2026年初頭の動向
Samsung	汎用DRAMの価格引き上げと、HBM3E/HBM4の量産体制を最大化。首位のプライドをかけ物量で市場を圧倒。
SK hynix	HBMでの先行利益を背景に、さらに高度なAI専用メモリへ特化。TSMCとの連携を強化。
Micron	衝撃的な方針転換。 2025年末に消費者向けブランド（Crucial）などの一部撤退を示唆し、リソースをデータセンター事業へ完全シフト。

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2026年の見通し

　現在のDRAM市場は「AI向けメモリをどれだけ作れるか」がメーカーの収益を決め、その影で「一般向けメモリが極端に不足する」という歪な構造になっています。

　この「メモリ飢餓」の状態は、各社の増設ラインが本格稼働する2026年後半まで続く可能性が高いと見られています。

サムスンが首位となった理由は何か

　サムスン電子が2025年第4四半期にDRAM市場で王座を奪還した背景には、「汎用DRAMの価格高騰」と「AI向けHBMでの追撃成功」などがあります。

1. 汎用DRAMの価格高騰と圧倒的な供給力

　2025年後半、AIサーバー需要の爆発により業界全体でHBM（広帯域幅メモリ）の生産が優先され、PCや一般サーバー用の汎用DRAM（DDR5など）が深刻な供給不足に陥りました。

• 規模の経済： 世界最大の生産能力を持つサムスンは、この「売り手市場」で値上がりした汎用製品を大量に供給し、記録的な利益を上げました。
• 価格戦略： 一部製品で50%以上の値上げを断行するなど、需給逼迫を収益に直結させました。

2. HBM3Eの品質認証と供給開始

　最大の懸案事項だったHBM3E（第5世代HBM）において、NVIDIAなどの主要顧客による品質テストに合格し、本格的な供給を開始したことが決定打となりました。

• 先行していたSK hynixとの技術格差を急速に縮め、AIメモリ市場でもシェアを奪い返した形です。

3. 次世代プロセス「1c nm」の先行導入

業　界最小レベルの1c nm（10ナノ級・第6世代）プロセスの量産を軌道に乗せ、生産効率を大幅に高めました。

• これにより、同じ面積のウェハからより多くのチップを製造できるようになり、他社を上回るコスト競争力を確保しました。

4. メモリとファウンドリの「垂直統合」の強み

　サムスンは自社でチップの製造（ファウンドリ）とメモリ製造の両方を行える唯一の企業です。

• 次世代のHBM4ではメモリと演算ロジックの融合が進むため、この「ワンストップ体制」が顧客（NVIDIAやAMDなど）から高く評価され、先行受注に繋がりました。

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　SK hynixがAI特化型で先行したのに対し、サムスンは「汎用製品での圧倒的な物量作戦」と「AI製品での技術的な巻き返し」を同時に成功させたことが首位奪還の理由です。

1c nmプロセスとは何か

　1c nmとは、DRAM（メモリ）の製造プロセスにおける「第6世代の10nm級（10ナノメートル級）」技術のことです。

　メモリ業界では、回路の線幅を細かく（微細化）して性能を高めますが、10nm台に突入してからは「10.0nm」というピンポイントな数字ではなく、1x、1y、1z、1a、1b、1cという記号で世代を表しています。

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1. 進化の系譜

DRAMの微細化は以下のように進んでいます。右に行くほど新しく、回路が細かくなります。

• 1x（第1世代）：約18nm
• 1y（第2世代）：約17nm
• 1z（第3世代）：約15nm
• 1a（第4世代）：約14nm（EUV露光の導入開始）
• 1b（第5世代）：約12nm
• 1c（第6世代）：11nm台（現在の最先端）

2. 1c nmの主な特徴

　サムスンなどが2025年に量産を開始した1c nmには、主に3つのメリットがあります。

• 生産性の向上： 回路がより細かくなったことで、1枚のシリコンウェハから取れるチップの数が増えました。これにより、大量生産時のコストを抑えられます。
• 電力効率の改善： 1b nm（第5世代）と比較して、電力効率が約30%向上しています。これは消費電力が膨大なデータセンターやAIサーバーにとって非常に重要なポイントです。
• 高精度のEUV活用： 極端紫外線（EUV）露光技術をさらに高度に活用することで、複雑な回路をより正確に刻めるようになりました。

3. なぜ今「1c nm」が話題なのか

　サムスンがSK hynixを抜いて首位を奪還できた大きな要因の一つが、この1c nmでの先行量産です。

　1c nmプロセスで製造されたDRAM（DDR5やLPDDR5Xなど）は、AI PCや最新スマホ、サーバー市場で「最も高性能で省エネなメモリ」として引っ張りだこになっており、サムスンの収益を大きく押し上げました。

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　「1c nm」は、現在世界で最も細かく、高性能なメモリを作るための最新の製造ルールのことです。