この記事で分かること

中国によるジクロロシランへの反ダンピング処置

　中国商務部は2026年9月7日、日本から輸入される半導体用特殊ガス「ジクロロシラン（Dichlorosilane）」について、不当廉売（ダンピング）により自国産業が実質的な損害を受けたとする暫定決定を発表し、9月8日より80.8%〜99.2%の保証金を課す暫定反ダンピング措置を開始しました。

　日米中による半導体製造装置や先端材料の輸出規制を巡る緊張が強まる中、中国側による経済的対抗措置の一環と見られており、信越化学工業を含む日本の主要化学メーカーの製品が対象となります。

ジクロロシランは半導体製造で何に使われるのか

　ジクロロシラン（英語名: Dichlorosilane / 略称: DCS / 化学式: SiH2Cl2）は、半導体製造の化学気相成長（CVD）工程やエピタキシャル成長工程において、基板上にシリコンを含む各種薄膜を形成するための原材料（シリコン源前駆体）として使用されます。

主な用途と役割

窒化シリコン（Si3N4）膜の堆積

　ジクロロシランとアンモニア（NH3）を減圧下の反応炉（LPCVD）で加熱反応させ、ウエハ上に窒化シリコン膜を形成します。　

　絶縁性や緻密性に優れるため、トランジスタの電極まわりの絶縁、サイドウォールスペーサー、不純物の拡散防止膜、加工時の保護膜（ハードマスク）として不可欠です。

酸化シリコン（SiO2）膜の堆積

　一酸化二窒素（N2O）や酸素と反応させることで、高温酸化膜（HTO: High Temperature Oxide）を形成します。段差の追従性が良いため、立体構造を持つ素子間分離層やゲート絶縁膜の形成に使われます。

エピタキシャルシリコン層の成長

　シリコン基板上に、結晶軸を揃えた高品質な単結晶シリコン層（エピタキシャル層）を成長させるガスとして使用されます。パワー半導体や高速ロジック半導体の基盤作りに重要です。

高融点金属シリサイド（WSi2など）膜の形成

　六フッ化タングステン（WF6）などの金属ガスと同時に反応させることで、タングステンシリサイド（WSi2）をはじめとする低抵抗な配線・ゲート電極材料を形成します。

半導体製造で好まれる理由

　他のシリコン源であるモノシラン（SiH4）に比べて微細な段差への膜のつきやすさ（ステップカバレッジ）や膜厚の均一性に優れており、四塩化ケイ素（SiCl4）よりも低い温度で高品質な膜を成長させることができるため、微細化・多層化が進む現代の半導体プロセスで広く採用されています。

なぜダンピングだと判断されたのか

　中国商務部がダンピング（不当廉売）と認定した主な理由は、「日本国内での販売価格よりも大幅に低い価格で中国へ輸出されており、その安売りによって中国国内の化学産業が実質的な被害を受けた」と判断されたためです。

　国際ルール（WTO協定）や中国の反ダンピング条例に基づき、以下の3つの要件がすべて満たされたと判断されました。

1. 大幅なダンピング格差（安売り）の認定

　調査対象となった日本企業（信越化学工業など）の「日本国内における平均販売価格（正常価格）」と「中国向け輸出価格」を比較した結果、輸出価格が不当に低く設定されていると認定されました。

　商務部の試算により、80.8%〜99.2% という極めて高いダンピングマージン（不当廉売率）が存在すると結論付けられました。

2. 中国国内産業への「実質的損害」

　中国のジクロロシラン輸入において日本産が約8割という高いシェアを占めていたため、高クオリティな日本産が低価格で流入し続けた結果、中国国内の化学メーカー（浙江巨化や新安化工など）が価格競争に巻き込まれ、販売不振、利益圧迫、設備稼働率の低下といった経営被害を受けた認定されました。

3. 因果関係の成立

　中国国内メーカーの業績悪化や市場成長の阻害は、他の経済要因ではなく「日本からの低価格な輸入」が直接の原因であると結論付けられました。

構造的な背景

　日本企業側は長年運用してきた製造設備と規模の経済により低コストで高品質なガスを供給でき体質を有していましたが、半導体材料の自給率向上（国産化推進）を進める中国政府・産業界にとっては、日本産の価格追従が困難であり、国内メーカーの育成を阻む壁となっていたため、自国産業保護の目的で反ダンピング申請・決定がなされた側面もあります。

日本側はどう対応するのか

　中国政府によるジクロロシランへの暫定反ダンピング措置に対し、日本政府および信越化学工業などの対象企業は以下のような対応・手続を進めています。

1. 日本政府の対応

• 中国側への強固な抗議と撤回要請
  • 政府（木原官房長官）は2026年9月8日の記者会見で、中国側の暫定措置に対して「強く抗議するとともに撤回を申し入れた」と表明しました。
• 対象企業との連携・影響精査
  • 経済産業省などを中心に対象企業と緊密に連携し、実質的な影響や不当な損害が生じないよう情報収集と精査を進めています。
• WTOルールに基づく反論・是正要求
  • 中国側の認定プロセスの透明性や不当性に問題がないか検証し、国際法（WTO協定）に沿った公正な対応をとるよう中国側に働きかける構えです。

2. 信越化学など対象企業の対応

• 中国商務部への意見書提出・反論手続き
  • 仮決定の発表（2026年9月7日）から10日以内に認められている意見提出・異議申し立ての手続きを活用し、「適正価格で取引を行っており不当廉売（ダンピング）には該当しない」とする根拠データや主張を提出します。
• 顧客（中国半導体メーカー）との協議
  • 最大99.2%の保証金が課されることで、中国の顧客側で輸入時の資金負担・コストが跳ね上がります。これに伴う価格転嫁や納入契約の見直し、あるいは供給計画の調整について顧客側と協議を進めます。
• 供給体制・サプライチェーンの見直し
  • 中国向け輸出の減少リスクや規制の長期化を見据え、日本国外の生産拠点を経由した供給ルートの活用や、中国以外の地域（台湾、韓国、米国など）への供給シフトの可能性を検証します。