この記事で分かること

マイクロンのDRAMシェア拡大

　調査会社カウンターポイント・リサーチが発表した2026年第2四半期（4〜6月）の世界DRAM市場データを受け、マイクロン・テクノロジーの株価は約6%急騰しました。

　マイクロンのDRAM売上高は前年同期比で約5倍（+400%）に急増。AIサーバー向け需要や汎用DRAM価格の上昇を着実に取り込み、前四半期の22%から25%へと一気にシェアを伸ばしました。　

　DRAM売上高シェアの拡大により、2位のSKハイニックスとの差がわずか1ポイントまで縮まっています。2026年後半からは次世代AI向けGPUの本格出荷に伴いHBM需要が再び伸びると予測されており、メモリ各社による次世代DRAMおよびHBMの供給能力争いが一層激化しています

なぜマイクロンのシェアが拡大しているのか

　マイクロン・テクノロジー（Micron Technology）がDRAM市場で急速にシェアを拡大（前四半期の22%から25%へ）し、SKハイニックスに肉薄している背景には、技術プロセスの確立、汎用メモリの需給ひっ迫、そして競合他社の端境期（はざかいき）という3つの要素が重なったことがあります。

HBM3E（第5世代HBM）の本格量産と供給拡大

　微細化技術「1-beta（1ベータ）nm」プロセスを用いたHBM3E（24GB/36GB）の歩留まり（良品率）が飛躍的に向上しました。

　NVIDIAの「H200」や「Blackwell」シリーズ、AMD、主要クラウドベンダー（CSP）への納入を本格化させたことで、これまでSKハイニックスが独占気味だったAI用高帯域幅メモリ市場への食い込みに成功しました。

汎用DRAM（サーバー向けDDR5等）の価格高騰を捉えた供給力

　大手3社が生産ラインを採算性の高いHBMへ大きく割いたことで、通常のサーバー向けDDR5やAI PC向けLPDDR5Xなど「汎用DRAM」の需給が極めて窮屈になりました。

　マイクロンは1-betaノードの高い生産効率を活かし、単価（ASP）が上昇した汎用DRAM市場で高収益とシェア増の両立を果たしました。

競合SKハイニックスの価格再交渉と契約構造（LTA）の隙間

　最大手SKハイニックスは、早期に結んでいた長期供給契約（LTA）の固定価格設定や、次世代HBM4投入前のHBM3E価格再交渉による一時的な単価伸び悩みの影響を受けました。

　この「HBM3EからHBM4への端境期」にマイクロンが新規の好条件案件を獲得し、売上ベースのシェア差（1ポイント差）を劇的に縮めました。

EUVに依存しない初期コスト抑制と歩留まり優位

　マイクロンはDRAMの1-beta世代において、競合他社より先端露光装置（EUV）の導入時期を後ろに倒し、マルチパターニング技術を活用して立ち上げました。

　これにより初期の巨額な設備投資やEUV製造ラインの制約を受けにくく、迅速なキャパシティ拡大と原価低減が可能となりました。

2026年後半以降は、各社が「HBM4」の量産化およびEUVを全面適用した「1-gamma（1ガンマ）nm」プロセスの展開へ移行するため、トップ3社によるシェアナンバー2争いは一段と熱を帯びています。

マルチパターニング技術とは何か

　マルチパターニング（Multi-Patterning）とは、半導体の製造（露光）工程において、1回の露光では描くことができない超微細な回路パターンを、複数回の露光・成膜・エッチングなどの工程を組み合わせて形成する技術です。

　露光装置の光の波長（例：ArF液浸露光の193nm）による物理的な限界（解像限界）を超えて、より狭い間隔（ピッチ）で配線を作るために開発されました。

主要な方式と仕組み

• LELE（Litho-Etch-Litho-Etch）1回目の露光・エッチングで間隔の広いパターンを焼き付けた後、その隙間に2回目の露光・エッチングを行うことで密度の高いパターンを構成する方式。
• SADP（Self-Aligned Double Patterning：自己整合ダブルパターニング）1回目の露光で作った土台（芯材）の側壁に材料をコーティングし、芯材だけをエッチングで除去する技術。露光位置のズレ（アライメントエラー）を起こさずに、露光限界の1/2の周期（2倍の密度）で線を描くことができます。
• SAQP（Self-Aligned Quadruple Patterning）SADPの側壁形成プロセスを2回繰り返すことで、元の露光限界の1/4の周期（4倍の密度）まで微細化する技術です。

EUV露光との比較

比較項目	マルチパターニング（ArF液浸＋SAQP等）	EUV（極端紫外線）単一露光
初期設備コスト	低い（既存のArF液浸露光装置を活用）	極めて高い（1台数百億円のEUV装置が必要）
製造工程数	非常に多い（成膜・エッチングの反復でマスク枚数や工程が増加）	少ない（1回の露光で複雑なパターンを一括形成）
歩留まり	立ち上げやすい（既存技術の延長で制御が容易）	初期調整が難しい（光源・ペリクルなどの技術的難所が多い）

マイクロンが選んだ戦略

　マイクロンがDRAMの「1-beta（1b）nm」世代でEUVを使わずに高密度化を実現できたのは、このSAQPに代表されるマルチパターニング技術を極限まで精度を高めて運用したためです。　

　これにより、高価なEUV装置の導入を遅らせ、製造原価の抑制と高い歩留まりを両立させました。

1-gamma世代とは何か

　1-gamma（1ガンマ / 1g）世代とは、DRAMの微細化プロセスにおいて「10nmクラスの第6世代」に位置する最先端の製造技術ノード（回路線幅11〜12nm前後）です。

　10nm世代のDRAMは 1x → 1y → 1z → 1a → 1b → 1g の順で微細化が進められており、1-gammaはその最新世代にあたります。

主な特徴と重要性

• マイクロンの「EUV本格導入」ノード前世代の「1-beta（1b）」までEUV（極端紫外線）露光装置を使わず、マルチパターニング技術で粘り強く微細化してきたマイクロンにとって、初めて製造工程にEUV露光を本格導入する節目の世代となります。
• 高密度化とコスト効率の向上回路のさらなる微細化により、ウエハ1枚から採取できるチップ数を増やし、記憶容量の拡大とビット当たりの製造コスト低減を実現します。
• 次世代メモリ（HBM4・DDR5/LPDDR6）の基盤AIサーバー向けの「HBM4」や、次世代の高速・低電力規格（DDR5、LPDDR5X/LPDDR6など）の性能を高めるための重要な製造プロセスとして量産展開が進められています。

　1-gammaは、競合するサムスン電子やSKハイニックスを含めた大手3社が、EUV技術を用いた最先端DRAMの主導権を争う主戦場となっています。

1-gamma世代ではなぜマルチパターニング技術の適用が難しいのか

　1-gamma（1g）世代（回路線幅11〜12nm以下）のDRAMにおいて、マルチパターニング（ArF液浸＋SAQP等）技術の継続適用が極めて困難になる理由は、物理的な重ね合わせ精度の限界と工程の暴増によるコストの逆転が生じるためです。

1. エッジ配置誤差（EPE）の限界

　マルチパターニングは成膜、露光、エッチングを何度も繰り返して位置をズラしながら細い描画を行います。1-gammaのような超微細領域では、各工程のわずかな位置ズレ（アライメント誤差）の累積が許容値を超えてしまい、回路のショートや断線が頻発して歩留まりが著しく低下します。

2. 工程数とマスク枚数の暴増

　SAQP（4倍密度）を超えるSAOP（8倍密度）や複雑な複数回露光が必要となり、ウエハ1枚を処理するためのマスク枚数や洗浄・成膜・エッチングのサイクル数が従来の数倍に跳ね上がります。

3. コスト構造の逆転

　ArF液浸露光機はEUV装置より本体価格が安価ですが、マルチパターニングの膨大な工程数による「スループット（ウエハ処理速度）の低下」「高価な化学材料の大量消費」「低歩留まり」が重なる結果、高価なEUV装置を導入して1回の露光（シングルパターニング）で済ませる方がトータルコストで安くなる「コスト逆転」が起きます。

4. 複雑な2D（平面）パターンの形成限界

　直線的な構造（ライン＆スペース）は側壁膜を利用するSADP/SAQPで対応できますが、DRAMのキャパシタ接続部やコンタクトホールなどの格子状・島状パターン（2D構造）は、マルチパターニングだけで歪みなく形成することが原理的に限界を迎えます。

　マイクロンも1-beta世代まではSAQPを極めてEUVなしで立ち上げましたが、1-gamma世代からは限界に達したため、EUV（極端紫外線）露光装置の全面的導入に踏み切っています。