半導体パッケージ基板 半導体パッケージ基板:TC-NCF サムスン電子とマイクロン・テクノロジーはHBMの積層工程で、TC-NCFという技術を採用しています。どんな技術なのか、NCF=非導電性フィルムとは何か知ることができます。 2026.08.14 半導体パッケージ基板
半導体パッケージ基板 半導体パッケージ基板:TCB装置 2 この記事で分かることHANMI Semiconductorの特徴HBMのDRAM多層積層に特化し、SKハイニックス等と提携して急成長。複数ヘッドによる高スループットと、極薄チップの損傷を防ぐ精密制御が強みで、高コスト技術を使わずHBM4まで... 2026.08.13 半導体パッケージ基板
半導体パッケージ基板 半導体パッケージ基板:TCB装置 1 TCB装置メーカーで高いシェアを持つとされるメーカーにASMPTとBESIが挙げられます。両社のTCB装置の特徴や強みの違いがどこにあるのか知ることができます。 2026.08.12 半導体パッケージ基板
半導体パッケージ基板 半導体パッケージ基板:熱圧着方式 チップと基板の接合部に熱と圧力を同時に加えて結合する実装技術である熱圧着が高性能パッケージングに不可欠です。リフロー方式との違いは何か知ることができます。 2026.08.11 半導体パッケージ基板
半導体パッケージ基板 パッケージ基板:Sn-Ag-Cuはんだでの析出強化、 銅喰われ抑制 銀や銅は共晶効果による融点の低下以外にも、Ag3Snの存在による析出強化やスズが銅を溶かす「銅喰われ」の抑制といった役割があります、それぞれの現象がなぜ起きるのか知ることができます。 2026.08.10 半導体パッケージ基板
半導体パッケージ基板 パッケージ基板:Sn-Ag系はんだ Sn-Ag系はんだは現在の半導体実装で最も実績があり、標準となっているはんだです。なぜ、Ag-Cuを混合することで融点が下がるのかを知ることができます。 2026.08.03 半導体パッケージ基板
半導体パッケージ基板 パッケージ基板:ワイヤーボンディング装置とワイヤー素材 電極パッドと、基板の端子を細い金属線で接続するワイヤーボンディングは現在でも、広く使われている手法です。接続にどのような装置が用いられるのかや素材の違いを知ることができます。 2026.07.31 半導体パッケージ基板
半導体パッケージ基板 パッケージ基板:はんだによるマスリフロー法 低温で溶けるため熱ダメージを防ぎ、軟らかさでチップと基板の熱膨張差を吸収可能であるため、チップとパッケージ基板の接続にははんだが利用されいます。はんだが利用される理由やその種類を知ることができます。 2026.07.19 半導体パッケージ基板
半導体パッケージ基板 パッケージ基板:ワイヤーボンディングでの接続 パッケージ基板と半導体チップの接続の方法にも様々な方式があります。ワイヤーボンディングでは金属を溶かさず原子レベルで一体化させる「固相接合」が使用されます。使用される材料や固相接合の仕組みを知ることができます。 2026.07.06 半導体パッケージ基板
半導体パッケージ基板 パッケージの種類:FC-CSP チップとほぼ同等サイズに小型化した半導体パッケージ用基板であるFC-CSP基板はモバイル機器に必須の技術となっています。小型化に向く理由やFC-BGAとの使い分けかたを知ることができます。 2026.07.01 半導体パッケージ基板