半導体パッケージ基板:MR-MUF

半導体パッケージ基板のイメージ画像 半導体パッケージ基板

この記事で分かること

1. 熱圧着方式のMR-MUFとは

HBM(高帯域幅メモリ)の多層積層技術です。熱と圧力でチップの反りを抑えて固定(熱圧着)し、液状樹脂を一括注入(MR-MUF)することで、高い積層精度と優れた放熱性・生産性を両立させます。

2. SKハイニックスだけが採用している理由

専用樹脂やプロセスの特許囲い込みで他社追随を防いだためです。一括接合による高い放熱性と生産性を早期確立できた一方、競合他社は既存の熱圧着(TC-NCF)設備からの切り替えが遅れたことも影響しています。

3. 協業している素材メーカー

主に日本のナミックスや住友ベークライト等と協業しています。微小隙間に流し込める超低粘度かつ高放熱な液状MUF樹脂を共同開発。この専用材料とプロセスの特許囲い込みにより、強力な参入障壁を構築しました。

半導体パッケージ基板:MR-MUF

 パッケージ基板とは、半導体チップ(ダイ)を載せ、マザーボードなどのメイン基板に接続するための中継基板のことです。半導体チップは非常に微細な端子を持ち、そのまま一般的なプリント基板(PCB)に直接実装することは極めて困難です。

 そこでチップとマザーボードの間に介在し、電気信号を橋渡しする役割を持つのがパッケージ基板です。

 従来の半導体の微細化による性能向上が限界に近づく中、半導体の先端パッケージング技術であるビルドアップ多層構造による高密度・微細配線が求められ、半導体性能向上の新たな競争軸となっています。

 前回はフィルムに含まれる無機フィラーに関する記事でしたが、今回は熱圧着方式のMR-MUFに関する記事となります。

熱圧着方式のMR-MUFとは何か

 「熱圧着方式(TC-NCF)」「MR-MUF」は、AI向けメモリであるHBM(高帯域幅メモリ)の製造で、DRAMチップを多層積層するための代表的なパッケージング技術です。

 本来は対立する別方式ですが、近年の高層化に伴い「熱圧着の精密制御」と「MR-MUFの放熱性」を融合したプロセス(Advanced MR-MUFなど)へ進化しています。

項目熱圧着方式(TC-NCF)MR-MUF方式(Mass Reflow Molded Underfill)
接合メカニズム1層ごとに熱と加圧でチップを貼り合わせる全層を重ねた後、一括加熱(マスリフロー)で接合
保護材(アンダーフィル)非導電性フィルム(NCF)を層間に挟む液状のエポキシ樹脂(MUF)を隙間に一括注入
主な採用メーカーSamsung, MicronSK Hynix
主な特徴チップの「反り」を低減しやすい熱伝導率が高く放熱性に優れる、量産速度が速い

熱圧着とMR-MUFが融合する背景(Advanced MR-MUF)

 HBMが12層や16層へと高層化・薄型化するにつれ、従来のMR-MUFだけでは薄いチップが熱で歪む「反り(Warpage)」の問題が生じるようになりました。これを解決するために登場したのが熱圧着技術を取り入れた発展形です。

  • 熱圧着(TC)による精密固定:チップを積層する際、熱圧着装置(TCボンダー)を用いて温度と圧力を精密に制御しながらチップ同士を仮固定・平坦化し、薄型化による反りを抑えます。
  • 一括モールド(MUF)による放熱性確保: 積層固定後、熱伝導性の高いフィラー(シリカなど)を含んだ液状樹脂を一気に流し込みます。フィルム状のNCFに比べて隙間なく高密度に保護材を満たせるため、GPU稼働時の極めて高い発熱を効率よく外部へ逃がすことが可能です。

 「熱圧着の加工精度」と「MR-MUFの優れた放熱性能」を併せ持つことで、AI半導体市場における高い量産歩留まりと信頼性を支えています。

HBM(高帯域幅メモリ)の多層積層技術です。熱と圧力でチップの反りを抑えて固定(熱圧着)し、液状樹脂を一括注入(MR-MUF)することで、高い積層精度と優れた放熱性・生産性を両立させます。

なぜSKハイニックスだけがMR-MUFを採用しているのか

 SKハイニックスがMR-MUFを独自に採用・主導できているのは、「独自技術・素材の特許による囲い込み」「競合他社が抱える既存設備(TC-NCF)からの転換コストの高さ」が主な理由です。

素材メーカーとの協業による特許障壁

 SKハイニックスは早い段階から液状樹脂(MUF)に着目し、材料メーカー(ナミックス等)と共同で高熱伝導な専用材料や製造工法を確立しました。排他的な特許とサプライチェーンを押さえているため、他社が同じプロセスを即座に模倣できません。

生産速度と歩留まり(良品率)の優位性

 競合が使う「TC-NCF」は1層ごとに熱と圧力で貼り合わせるため時間がかかります。対してMR-MUFは全層を重ねて一括加熱(マスリフロー)するため生産スピードが圧倒的に速く、熱歪み(反り)も抑えやすい特長があります。

競合他社のサンクコスト(既存投資の呪縛)

 サムスン電子やマイクロンは、業界標準だったTC-NCF方式に巨大な設備投資とノウハウ蓄積を行ってきました。MR-MUFへ変更するにはラインの全面刷新と高額な新装置導入が必要となり、決定が遅れた経緯があります。

NVIDIAとの密接な開発サイクル

 MR-MUFの高い放熱性能によってNVIDIAの厳しい品質基準をいち早くクリアし、AI半導体向けHBMの独占的サプライヤーとなりました。量産現場からのフィードバックを得て改善を回す「先行者利益」を得られたことも大きなアドバンテージです。

専用樹脂やプロセスの特許囲い込みにより他社追随を防いだためです。一括接合による高い放熱性と生産性を早期確立できた一方、競合他社は既存の熱圧着(TC-NCF)設備からの切り替えが遅れたことも影響しています。

どんな素材メーカーとの協業しているのか

 SKハイニックスは、主に日本の高品質な化学・材料メーカーと密接に協業し、MR-MUF向けの特殊材料を共同開発・調達しています。

1. ナミックス(新潟県)— 最重要パートナー

  • 製品:液状モールドアンダーフィル(MUF)材料
  • 協業内容:SKハイニックスとHBMの初期(HBM2E)から共同で液状MUF材料を開発しました。積層された薄いDRAMチップ間の極小の隙間(数微メートル)にスムーズに流れ込みつつ、気泡を残さず均一に固まる超低粘度樹脂を供給しています。長年にわたり独占的に供給してきたキープレイヤーです。

2. 住友ベークライト — 封止材のグローバルトップ

  • 製品:エポキシ成形材料(EMC)/ MUF用樹脂
  • 協業内容:半導体封止材で世界トップシェアを誇るメーカーです。AI市場の爆発的成長に伴うHBMの急増やサプライチェーンの安定化(マルチサプライヤー化)に対応するため、高放熱性を持つ樹脂材料の調達先として重要性が高まっています。

素材メーカーとの協業が生み出した強み

  • 高放熱フィラー(充填剤)技術
    • 液状のエポキシ樹脂の中に、熱を逃がすための超微細なセラミックフィラー(シリカなど)を高密度で配合する技術です。これにより、従来比で1.6倍以上の熱伝導率を実現した「Advanced MR-MUF」用材料などが生み出されました。
  • 排他的な特許と先行者利益
    • SKハイニックスと素材メーカーが初期から共同開発を行っていたため、材料の配合比率や製造プロセスの特許を双方で強固に囲い込んでおり、競合他社が同じ材料を即座に調達・模倣できない参入障壁となっています。

主に日本のナミックスや住友ベークライト等と協業しています。微小隙間に流し込める超低粘度かつ高放熱な液状MUF樹脂を共同開発。この専用材料とプロセスの特許囲い込みにより、強力な参入障壁を構築しました。

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